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《芯智訊》報導，研究公司TechInsights分享了3家先進製程的比較圖，顯示出台積電的3奈米無論電晶體密度、運算效能、能耗效率等都為第1。（路透）
高佳菁／核稿編輯
〔財經頻道／綜合報導〕台積電（2330）、英特爾（Intel）、三星（Samsung）是全球半導體業的3強，在先進製程上，都說自家製程最領先，中媒《芯智訊》報導，研究公司TechInsights分享了3家先進製程的比較圖，顯示出台積電的3奈米無論電晶體密度、運算效能、能耗效率等都為第1。
此前英特爾執行長季辛格（Pat Gelsinger）受訪指出，Intel 18A與台積電2奈米製程的電晶體密度差不多，但英特爾的背後供電（Backside power）更加優秀，也因此，這讓矽晶片有更佳面積效率（area efficiency），意味成本降低，供電較佳代表表現效能更高，讓Intel 18A略為領先台積電N2。
報導指出，英特爾計畫在今年下半年量產Intel 18A，並在明年推出相關產品，但英特爾並沒有公布能耗數據。但TechInsights公布數據顯示，從電晶體密度看，不論台積電3奈米N3製程或強化版N3E，電晶體密度283MTx/mm²（每平方公釐百萬電晶體）、273MTx/mm²，都高於英特爾Intel 18A的195MTx/mm²。
《芯智訊》報導，研究公司TechInsights分享了3家先進製程的比較圖，顯示出台積電的3奈米無論電晶體密度、運算效能、能耗效率等都為第1。（翻攝自網路）
報導指出英特爾Intel 18A採背後供電（Backside power），對降低能耗有一定幫助，但帳面數字來看，Intel 18A大幅超越台積電3奈米性能還是不太可能。
而根據台積電說法，將於今年推出性能更強的N3P技術，將提供與Intel 18A相當的功號、性能和電晶體密度，且聲稱N2交全面優於N3P和Intel 18A。
不過報導認為，目前各方說法還互相存在矛盾，具體情況要等到Intel 18A真正量產後才更為明確。
另外報導還指出，除了英特爾，三星先跨入GAA架構Nanosheet製程，力拼彎道超車台積電。但在比較電晶體密度、性能、能耗後，同年製程三星都落後台積電，台積電電晶體密度也約是三星1.5倍以上；先進製程客戶數量方面，台積電也遠超三星。
台積電先前表示，2奈米如期將在明年下半年量產，3奈米家族也持續擴大強化版。N3E於去年第4季量產後，之後還有N3P和N3X，近期人工智慧（AI）需求激增，也支持節能運算需求加速成長，又使3奈米家族營收占比提高。
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